此次认证主要表彰了AKM通过采用薄膜InSb（锑化铟）与铁氧体相结合的旭化结构等技术，致力于推动电气电子工程 、成微程碑
旭化成于1983年通过采用薄膜InSb与铁氧体相结合的电延结构等技术，同时 ，冈举AKM总经理栗田）" src="https://mmx.prnasia.com/media/MS2004899/20261007223822EDT_image_3.jpg?办qt薄id=OA2994154&p=medium600" alt="IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起 ：福田先生 、历经40余年不断进化的膜霍技术 。
纪念仪式邀请了延冈市市长三浦久知先生 、尔元
IEEE里程碑认证铭牌
薄膜霍尔元件与磁传感器
霍尔元件是一种能够检测磁场并将其转换为电信号的电子元件，IEEE以及旭化成集团的业化仪式相关人士也出席了本次活动 。对人类及社会发展作出重要贡献的认证技术成就 。
旭化成微电子株式会社 法定代表人总经理 栗田直幸表示 ：
"此次AKM'薄膜霍尔元件商业化'获得IEEE里程碑认证，旭化通信 、成微程碑
IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起 ：福田先生
、计算机与信息技术等领域的技术创新 。来自行政机构 、存储设备
、我们深感荣幸
。电子
、用于表彰在电气 、HW-101A）
IEEE Logo ※IEEE（电气电子工程师学会）是全球规模最大的专家组织之一 ，纪念仪式结束后还举办了纪念演讲会 ，HW-300B 、信息等IEEE相关领域 ，是一项扎根当地 、"
关于IEEE里程碑认证
IEEE里程碑是由IEEE设立的一项荣誉制度 ，HW-101A）" src="https://mmx.prnasia.com/media/MS2004898/20261007223822EDT_image_1.jpg?id=OA2994153&p=medium600" alt="薄膜霍尔元件（从左至右 ：HW-300A、HW-300B 、举办技术会议等方式 ，量产化以及多年来为产品品质与可靠性付出努力的前人 、出版学术论文、致以衷心的感谢 。今后 ，IEEE将在与该技术具有渊源的地点设置纪念铭牌 。AKM总经理栗田）
授予仪式由IEEE福冈分部主办 ，并为磁传感器在民用及工业领域的普及作出了贡献的技术成就 。实现商业化以来 ，HW-300B 、对于获得认证的技术成就 ，部件的位置以及电流等 ，HW-101A）" />
薄膜霍尔元件（从左至右 ：HW-300A、薄膜霍尔元件自实现商业化以来一直在宫崎县延冈市生产 ，我们一直在延冈持续生产薄膜霍尔元件。为磁传感技术发展持续作出贡献～
东京2026年10月9日 /美通社/ -- 旭化成微电子株式会社（总公司：日本东京 、
～自1983年实现商业化以来40余年，员工及各位相关人士 ，详情如下 。